技术编号:14011003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体存储器领域。更具体地,本发明的实施方式涉及电阻式随机存取存储器(ReRAM)和/或导电桥接RAM(CBRAM)制程(process)和装置。背景技术在诸如固态硬盘驱动器、可移动数字图片卡等的应用中越来越多地发现非易失性存储器(NVM)。闪存是现今使用的主要NVM技术。然而,闪存具有诸如较高功率以及较慢运行速度的限制。诸如包括电阻式RAM(ReRAM)和导电桥接RAM(CBRAM)的电阻式切换存储器技术的其它NVM技术与闪存技术相比可以提供相对更低功率和更高速度。例如,CBRA...
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