技术编号:14028342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及锐钛矿型铌氧氮化物及其制造方法、以及包含锐钛矿型铌氧氮化物的半导体结构体。背景技术通过对光学半导体照射光,该光学半导体产生电子-空穴对。光学半导体在空间上分离上述电子-空穴对,有望用于将光伏发电以电能的形式取出的太阳能电池、由水和太阳光直接制造氢的光催化剂、或光检测元件等用途。例如专利文献1中,作为能够有效利用长波长侧的光的光学半导体,公开了具有斜锆石型晶体结构并且由组成式NbON所表示的铌氧氮化物。根据专利文献1,具有斜锆石结构的铌氧氮化物能够吸收波长560nm以下的光。现有技术文献...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。