技术编号:14038902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件,且特别是有关于一种含氮半导体元件。背景技术在一般的半导体元件中,为了增加电子电洞结合的机率以及提高电子阻障,会在主动层与P型半导体层之间设置氮化铝铟镓(AlxInyGa1-x-yN)的含氮四元半导体层。然而,由于氮化镓材质或氮化铝镓材质的半导体层的晶格与基板的晶格差异,往往会造成半导体层的磊晶质量降低。因此,如何有效改善含氮半导体层的磊晶质量仍是急需改善的问题之一。发明内容本发明提供一种含氮半导体元件,其具有良好的磊晶质量。本发明的实施例的含氮半导体元件包括基板、第...
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