技术编号:14052237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电镀铜方法,属于半导体集成电路工艺技术领域。背景技术在形成半导体芯片时,首先在半导体芯片中的半导体基板表面形成集成电路装置如晶体管。而后在集成电路装置上形成内连线结构。在半导体芯片表面形成凸块以作为集成电路装置的接点。在形成凸块的特定工艺中,先形成凸块底层金属,而后在凸块底层金属上形成凸块。凸块底层金属的形成可包括形成铜晶种层,以及在铜晶种层上形成一图案化掩模,而由掩模的开口暴露出部分铜晶种层。而后在暴露出来的部分铜晶种层上进行电镀步骤以电镀上厚铜层。接着,可依序电镀上额外层如镍层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。