技术编号:14059523
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种微波退火制备3D NAND的方法。背景技术随着半导体技术的发展,开发出了各种半导体存储器件,如或非(NOR)闪存、与非(NAND)闪存等。相对于常规存储装置如磁存储器件,半导体存储器件具有访问速度快、存储密度高等优点。其中,NAND结构正受到越来越多的关注。为进一步提升存储密度,出现了三维(3D)NAND器件。3D NAND存储器是一种基于平面NAND存储器的新型产品,这种产品的主要特色是将平面结果转化为立体结构,大大节省了硅片面积,降低制造成本。如图1所示...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。