技术编号:14059623
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体紫外光电探测器的技术领域,更具体地,涉及一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法。背景技术近年来,随着信息技术的发展,人们对周围环境信息捕获和探测的手段越来越多样化,紫外光电探测器开始被广泛应用在军事、民用和科研等多个领域,并且人们对高性能紫外光电探测器的需求也日益增强。目前市场上常见的紫外光电探测器主要是Si基光电二极管和配有滤波片的真空电子光电倍增管。基于III族氮化物半导体(包括二元化合物GaN、AlN,三元化合物AlGaN、InGaN、AlInN以及...
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