技术编号:14069006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于集成电路制造领域,涉及一种半导体结构。背景技术美国专利US6653223B1公开了一种在微电子制造中形成双镶嵌孔的方法,其采用图案化的第一介电层来限定通孔的至少一部分。图案化的第一电介质层上覆盖有第二介电层,且第二介电层在通孔位置处形成有空隙,从而形成不完全填充的通孔。因此,当在所述第二介电层中形成与通孔邻接的沟槽时,在由不完全填充的通孔形成的重新打开的通孔的过程中,空隙提供增强的尺寸控制。也就是说,在集成电路制造中,空隙可以被利用来增强对双镶嵌孔的尺寸控制。介质层中的空隙也可以有...
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