技术编号:14071015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于处理控制系统及方法,并且尤其是关于气流处理控制系统及方法。背景技术在集成电路(IC)制造及其它产业中,处理室内需要使用一或多种气体的程序典型为对包括组成及\/或浓度等气体属性的变异非常敏感。举例而言,原子层沉积(ALD)及原子层蚀刻(ALE)程序使用处理室,以分别将材料的原子层沉积到半导体晶圆上以及将材料的原子层从半导体晶圆蚀刻掉。在处理过程中(即ALD或ALE期间),第一气体及第二气体(亦称为先驱物)依序以脉冲形式进入处理室,并且于各该脉冲彼此间从该处理室被排净。通过在不同脉冲期间...
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