技术编号:14088035
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种沉积环及使用其的卡盘组件,尤其是一种用于集成电路制备的溅射设备中的沉积环及卡盘组件。背景技术在集成电路的制备过程中,需要物理气相沉积(以下简称PVD) 设备完成沉积薄膜工艺,常用的技术是磁控溅射方式,典型的溅射设备如图1所示,该设备具有反应腔体1、靶材4,绝缘材料2,绝缘材料2和靶材4中间形成腔室并充满去离子水3。溅射时DC电源会施加偏压至靶材4,使其相对于接地的腔体成为负压,以致氩气放电而产生等离子体,负偏压同时能将带正电的氩离子吸引至靶材4。当氩离子的能量足够高并在由旋转的...
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