技术编号:14112879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种气体喷射装置,特别是关于一种应用于半导体设备的气体喷射装置。背景技术在目前常见的半导体制造工艺的化学气相沉积(CVD)系统设备中,其气体喷射装置以垂直堆叠的分隔方式,将气源气体传送至反应室。举例而言,请参照第一图,其绘示一般传统应用于化学气相沉积(CVD)制程设备的结构侧视图。气体喷射装置100包含第一输入管道111、第二输入管道112及第三输入管道113,其采用垂直分隔的配置方式,如此一来第一输入管道111、第二输入管道112及第三输入管道113的输出端之间相互垂直堆叠配置,致使...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。