技术编号:14112883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种改善薄膜沉积均匀度的方法。背景技术原子层沉积法(ALD,atomic layer deposition)相较于一般的低压化学气相沉积法(LPCVD,low pressure chemical vapor deposition)是将物质以单一原子膜形式一层一层的沉积在基底表面,具自我限制性化学吸附反应(self-limiting chemisorption),即沉积饱和后不会再沉积反应,不会因为过多特气而过度饱和吸附,故具有很好的台阶覆盖率及均匀度,并可精...
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