技术编号:14122248
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单粒子效应试验技术领域,尤其涉及一种微处理器内嵌SRAM多位异向单粒子翻转的测试方法及系统。背景技术随着工艺尺寸的缩小和集成度的提高,集成电路在空间辐射效应中的单粒子效应变得越来越明显。微处理器是航天器电子系统中的核心元器件,其中内嵌SRAM约占整个芯片面积的50%~60%,是对单粒子事件最敏感件之一。其中,单粒子翻转是最常见的单粒子效应之一,是考核电路抗单粒子能力的重要指标。中国专利公开号CN 105590652A,公开日是2016.05.18,名为“SRAM中子单粒子效应试验方法”...
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