技术编号：14135054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种样品制备方法及中间件，属于光通信技术领域，具体是涉及一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。背景技术有源光器件是光纤通信的基础，随着光纤通信系统的发展和广泛应用，人们对有源光器件的质量和可靠性要求越来越高。半导体激光器芯片作为有源光器件的核心组成部分，其质量和可靠性要求也更严苛，对芯片失效样品的分析也逐渐深入到材料层级，半导体激光器芯片尺寸极小，在百um 量级，材料特性又易碎，这就需要对失效的芯片样品在百um量级尺度下进行制样，并注意保护样品。这样才能开展后续的缺陷定位分析...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。