技术编号：14152464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路，并且更具体地涉及这些集成电路中存在的反熔丝结构。背景技术目前，反熔丝结构通常是基于位于集成电路的有源区与多晶硅线之间的氧化物的击穿。在氧化物经受电击穿之前，它是绝缘体，并且在多晶硅线与集成电路的有源区之间没有电流通过。然而，当在多晶硅线与集成电路的有源区之间施加击穿电位差时，氧化物则经受击穿并变成导体。击穿是不可逆转的。因此，这种反熔丝结构可以在操作中用作一次性可编程存储器单元(OTP单元)。具体地，存储器单元然后从非导通状态转到导通状态，这使得有可能对其逻辑值取决于存储...
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