技术编号:14177531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子领域,具体地,涉及制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。背景技术介质薄膜以其优良的绝缘性能和介电性能,在半导体集成电路、薄膜混合集成电路以及一些薄膜化元器件中得到广泛应用。高质量的介质薄膜更是许多电学器件的必要组成部分,尤其在MOS(金属-氧化物-半导体)器件中,介质薄膜的质量以及介质薄膜与基底之间的界面特性都尤为重要,对器件的性能影响很大。因此,介质薄膜的制备起到关键作用。对于制备介质薄膜的方法除了常规的沉积方法外,还可以采用热氧的方法。通过热氧化在基底上得到本身的绝缘...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。