技术编号:14177533
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子器件技术领域,更具体地,涉及功率半导体器件及其制造方法。背景技术功率半导体器件亦称为电力电子器件,包括功率二极管、晶闸管、VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管、LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管以及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等。VDMOS场效应晶体管包括在半导体衬底的相对表面上形成的源区和漏区,在导通状态下,电流主要沿着半导体衬底的纵向流动。在功率半导体器件的高频运用中,更低的导通损耗和开关损耗是评价器件性能的重要指标。在VDMOS场效应晶体管的...
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