技术编号:14177700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜太阳能电池领域,具体涉及一种具有CuSCN空穴传输层的碲化镉太阳能电池及制备方法。背景技术随着环境污染与能源危机的迫在眉睫,寻找可替代的新能源成为了全球国家的首要任务。在众多的新能源中,太阳能以储量丰富、清洁无污染的优势成为了新能源中的领头军。作为第二代薄膜电池的典型代表之一,CdTe薄膜电池吸引了众多企业和研究机构的兴趣。CdTe薄膜电池具有很多优势:理想的禁带宽度(1.45eV);与太阳光谱高度的光谱匹配性与高的光谱吸收率;高的光电转换效率(理论上可达30%左右),以及简单的电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。