技术编号：1417912
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于太阳电池。背景技术花篮印是指在去磷硅玻璃过程中硅片表面容易附着一层水溶氧与花篮接触形成的再次氧化，镀膜后会产生较明显的暗白色花篮状的印记，这印记对成品的外观影响很大。传统的二次清洗工艺在清洗磷硅玻璃之后需要脱水处理，目前主流的方法有甩干和经过纯水槽的慢提拉处理后烘干两种方法。机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴，但碎片率较高；而慢提拉处理能大大降低碎片率及硅片的机械损伤，但在大规模生产中，采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。