技术编号:14190654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体而言涉及一种化学机械研磨方法。背景技术随着集成电路制造过程中特征尺寸的缩小和金属互联的增加,对晶圆表面平整度的要求也越来越高。化学机械研磨(CMP)是将机械研磨和化学腐蚀结合的技术,是目前最有效的晶圆平坦化方法。化学机械研磨采用旋转的研磨头夹持住晶圆,并将其以一定压力压在旋转的研磨垫上,通过研磨浆料的作用,使晶圆表面在化学和机械的共同作用下实现平坦化。如何在化学机械研磨中,提高研磨速率,增加研磨垫,研磨头和研磨浆料利用率和生命周期,减少生产成本,降低研磨浆料残留提高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。