技术编号：14203096
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体上涉及磁阻传感器中的自由层偏置，更具体地涉及具有堆叠偏置层的磁性隧道结传感器的制造，其沿着与传感层的磁各向异性相同的方向提供传感层的正交偏置。背景技术基于薄膜多层堆叠的磁阻传感器，其利用巨磁阻效应或隧道磁阻效应，并且具有取决于参考铁磁层(RL)和传感铁磁层(SL)的磁矩之间的相对取向的电阻。参考铁磁层的磁矩通常通过与诸如铱锰(IrMn)或铂锰(PtMn)的反铁磁材料的界面交换耦合来确定。这种耦合限定了一个优选的参考方向，沿着该方向强钉扎所述参考层。在没有外场的情况下，传感器的阻抗相对于...
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