技术编号:14212144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。硅基晶体管非常适合于低压应用。但是在高压应用(例如,大于100V的供给电压)中,硅基晶体管的击穿电压增加,从而引起硅基晶体管的沟道电阻不成比例地增加。作为结果,大的折衷存在于BV*Ron品质因数中。增加硅基晶体管的击穿电压还显著增加晶体管的器件电容,这通常减慢晶体管的切换效率。为了解决这些问题,高压器件可用于具有硅基晶体管的级联配置中。高压器件可为高电子迁移率晶体管(HEMT),诸如氮化镓(GaN)HEMT。通常,GaN HEMT包括二维电子气(2DEG)沟道,二维电子气(2DEG)沟道提供高击...
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