技术编号：14216690
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种压电器件的制造领域，尤其涉及一种压电谐振器的制备方法及压电谐振器。背景技术压电谐振器包括薄膜体声波谐振器(FBAR)又称为压电薄膜体声波谐振器，其中压电薄膜体声波谐振器具有工作频率高，插损小，带外抑制陡峭度高、耐受功率高、体积小等众多优点，可以满足通信、雷达等电子系统的需求。现有技术中的压电谐振器通常包括两个薄膜电极，并且电极之间填充有一层薄膜压电材料。通常情况下将压电谐振器制造完毕后，需要将压电谐振器下的东西移走，形成一个空腔。现有技术中在衬底上先形成一个凹陷的坑，再通过刻...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。