技术编号：1422718
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体的制造过程中清洗半导体晶片的方法和装置。更确切的说，本发明涉及一种用蒸气清洗的后CMP(化学机械平面化)的晶片清洗方法和装置。集成电路元件的细节的几何形状通常通过一种被称为光刻法的方法以照相方式确定。有了这种技术就可以精确地复制出非常精细的表面几何图形。这种光刻方法用于确定元件的区域并且在另一层顶上的一层形成元件。复杂的集成电路经常有许多不同的组合层(buit-up layer)、每层都有元件、每层都有不同的互连、每层都堆叠在前一层的顶上...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。