技术编号：14242288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法以及一种半导体器件。背景技术存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线导体，所述源区用于构成位线接触区，以同通过位线接触连接至一位线导体，所述漏区用于构成节点接触区，以通过一节点接触连接至存储电容器。目前，在形成节点接触时，一般是利用光刻工艺直接定义出节点接触的形成区域，即，利用光...
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