技术编号:14242309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器。背景技术绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管,简称GTR)的低导通压降两方面的优点,因此IGBT目前被广泛应用到各个领域。绝缘栅双极晶体管的集电极区的载流子注入效率和抽取效率很大程度上决定着器件...
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