技术编号:14242600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及气相掺杂区熔硅单晶生长技术,尤其涉及一种用于生产气相掺杂区熔硅单晶的掺杂气体充入装置。背景技术区熔硅单晶是制备各种电力电子器件的重要衬底材料,随着各类电力电子器件向着高电压、大功率的方向发展,人们对区熔硅单晶质量的要求也越来越高,不仅要求区熔硅单晶具有纯度高、尺寸大等特点,更要求区熔硅单晶中的电阻率均匀性好,少子寿命高。传统控制N型区熔硅单晶电阻率的方法为中子嬗变掺杂法(NTD法)。NTD法的缺点是成本高、生产周期长,并且产量受限于反应堆的辐照能力。另外,中子辐照过程还会产生微缺陷,影...
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