技术编号:14251354
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种巨介电常数电容器及其制备方法,属于半导体巨介电常数电容器领域。背景技术由于对于尺寸微型化和高能量存储密度的需求,巨介电常数材料一直是现代巨介电常数电容器、滤波器等电子器件研究的热点。传统的极化理论主要分为三种:电子位移极化机制,离子位移极化机制和电偶极子取向极化机制。电子位移极化主要是组成介质的原子或离子,在电场作用下,原子的或离子的正负电荷中心不重合,即带正电的原子核与其壳层电子的负电中心不重合,因而产生感应偶极矩。离子位移极化主要是组成介质的正负离子,在电场作用下,正负离子产生...
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