技术编号：14251433
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。将2016年10月12日在韩国知识产权局提交并且题为“形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2016-0131908全部引入本文中作为参考。技术领域实例实施方式涉及形成硅层的方法、形成图案的方法、和使用其制造半导体器件的方法。背景技术含碳层例如无定形碳层(ACL)、旋涂(spin-on)硬掩模(SOH)等可用于形成半导体器件中的精细图案例如栅电极、布线、接触、绝缘图案等。可在含碳层上形成另外的掩模层以增强其蚀刻选择性。发明内容根据实例实施方式，形成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。