技术编号:14251487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属半导体集成电路技术领域,特别涉及一种TSV转接板及其制备方法。背景技术目前为止集成电路的特征尺寸已经低至7nm,在单个芯片上集成的晶体管数量已经到达百亿级别,伴随百亿级别的晶体管数量的要求,片上资源和互连线长度问题成为现今集成电路领域发展的瓶颈,3D集成电路被认为是未来集成电路的发展方向,它在原有电路的基础上,在Z轴上层叠,以求在最小的面积上集成更多的功能,这种方法克服了原有集成度的限制,利用新兴技术硅通孔(Through-Silicon Via,简称TSV),大幅度的提高了集成电路的性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。