技术编号:14252746
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及阻抗电路,特别是涉及阻抗电路以及阻抗电路中的多晶硅电阻器(poly-resistor)。背景技术多晶硅电阻器的特征是片电阻(sheet resistance)值。为了减少芯片尺寸,通常使用高片电阻值的多晶硅电阻器,并且高片电阻值的多晶硅电阻器可以制造在较小的面积中,它们广泛用于各种集成电路。然而,损耗效应(depletion effect)是以多晶硅作为栅极材料的器件的阈值电压出现不期望的变化,在电子电路中导致不可预知的行为。造成多晶硅电阻器的严重的非线性。因此,需要新颖的解决方案来抑...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。