技术编号:14256469
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年10月17日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0134237的韩国专利申请的优先权,其公开通过引用整体合并于此。技术领域示例性实施例涉及一种存储器件,更具体地,涉及一种用于执行刷新操作的存储器件。背景技术通常,诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器件的存储单元包括用于以电荷形式储存数据的电容器以及用作控制电荷流入和流出电容器的开关的一个或更多个晶体管。可以根据存储单元的电容器中是否存在电荷(即电容器的端电压是高还是低)将数据识别为逻辑高电平或逻辑低电平...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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