技术编号：14256927
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种金属栅填充的改善方法。背景技术业界在32nm以下的高介电常数金属栅极工艺(HKMG，High-K Metal Gate)中多采用后栅工艺，由于栅极尺寸变小，金属栅填充难度增加。由于工艺的改进，现有工艺中的栅极尺寸不断的缩小，在现有的金属栅电极的制作工艺中，由于栅极的长度较小，制作栅极的开口深宽比较大，因此，在将栅电极材料沉积到栅极开口较为困难。栅极开口顶部边缘处的沉积速率总是大于底部，而导致顶部边缘的栅电极材料过厚，很容易封住栅极开口，而在底部形成空洞，上述空洞...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。