技术编号：14256942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由多个芯片层叠而成的层叠芯片的制造方法。背景技术为了实现半导体装置的进一步小型化、高集成化，实用化了在厚度方向上重叠多个半导体芯片而利用贯通电极(TSV：Through Silicon Via：硅通孔)等进行连接的三维安装技术。在该技术中，为了抑制最终制造出的层叠芯片的厚度而使用通过磨削等方法变薄了的半导体芯片。但是，当在构成层叠芯片的半导体芯片的厚度上存在偏差时，很难形成与规定的厚度一致的层叠芯片。因此，提出了如下方法：在通过磨削等方法使作为半导体芯片的晶片变薄之前，对正面侧的树脂层...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。