技术编号:14256989
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2016年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0133319号的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域各个实施例总体而言可以涉及半导体装置,且更具体而言涉及阻变存储装置及其选择性写入电路和操作方法。背景技术阻变存储装置可以是存储装置,该存储装置通过改变设置在一对电极之间的数据储存材料层的电阻状态来将数据储存在数据储存材料层中。阻变存储装置利用由电压或电流导致的数据储存材料层的电阻改变。阻变存储装置的示例可以包括相变随机存取存储器(PRAM)。PRAM的...
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