技术编号：14264873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于SiC单晶生长技术领域，具体涉及一种持续供料的SiC单晶生长系统。背景技术SiC作为宽带隙半导体材料以其高的禁带宽度（为Si的3倍），高的击穿临界场强（约为Si的9倍），高电子饱和漂移速度（为Si的2倍）和高热导率（约为Si的3倍），小的介电常数，以及抗辐射能力强，结实耐磨损等特性而成为制作高频、大功率、耐高温和抗辐射器件的理想材料。因而成为当前广泛研究的材料之一。在SiC单晶生长技术方面，目前国际上主要采用物理气相输运（PVT）生长SiC单晶，其主要原理是Si-C体系在高温下的升华和...
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