技术编号：1426566
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有（a）醇胺，（b）醇醚，(c)水，(d)邻苯三酚和/或其衍生物，e）没食子酸和/或其酯。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够同时去除金属线（metal）、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物，同时对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本没有攻击。在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。专利说明一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液[0001...
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