技术编号:14266875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种不对称鳍状结构,尤其是涉及一种只有一侧有外延层的不对称鳍状结构。背景技术在现有半导体产业中,多晶硅广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)晶体管中,作为标准的栅极填充材料选择。然而,随着金属氧化物半导体晶体管尺寸持续地微缩,传统多晶硅栅极穿透效应导致元件效能降低,及其难以避免的空乏效应(depletion effect)等问题,使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降,进而导致元件驱动能力的衰退等困境。因此现有平面式...
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