技术编号:14266888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术在半导体技术领域中,磁随机存取存储器(MRAM)是一种非挥发性的存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整。在性能方面,MRAM不仅具有动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及闪存(FLASH)的非易失性,同时可以承受无限次地重复写入,是一种“全功能”的固态存储器。除此之外,由于其磁体本质上是抗辐射的,使其具有极高的可靠性,并且MRAM单元可以方便地嵌入...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。