技术编号:14280833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电器件领域,尤其涉及一种可降低电子溢流的氮化物发光二极管。背景技术氮化物发光二极管是将电流转化成光的半导体器件,其传统结构包括:衬底、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层,N型氮化物层用于提供电子,P型氮化物层用于提供空穴。但当注入电流后,由于电子迁移率(Mobility)较空穴快,因此会导致电子空穴对于量子阱时分布不均,导致发光效率降低。因此,如何降低电子的迁移速率,使电子与空穴在量子阱中分布均匀,进而增加有效复合辐射效率,是急需解决的技术问题。发明内容为了...
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