技术编号：14293410
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料加工技术，特别是涉及一种MEMS器件用多层结构硅片的制作方法。背景技术多层结构硅片是MEMS器件制作过程中一种常见的结构，一般包括两层：低阻重掺浓硼层和高阻层，低阻重掺浓硼层作为器件层，利用体硅工艺制作MEMS结构，高阻层作为支撑层，在器件结构完成后，利用自腐蚀停止技术去除高阻层，释放出器件结构。低阻层使用的材料为重掺硅单晶片，以重掺硼为例，一般要求掺硼浓度大于5×1019\/cm3。目前，制备该双层结构类材料的方法有：浓硼扩散法，外延生长法以及硅-硅直接键合法。浓硼扩散法制...
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