技术编号:14304279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件以及其制作方法,尤其是涉及一种高压半导体组件以及其制作方法。背景技术在具有高压处理能力的功率组件中,双扩散金属氧化物半导体(double-diffused MOS,DMOS)晶体管组件持续受到重视。常见的DMOS晶体管组件有垂直双扩散金属氧化物半导体(vertical double-diffused MOS,VDMOS)与横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管组件。LDMOS晶体管组件因具有较高的操作带宽与操作效率,以及易与其他集成电路整合的平面结构,现已广泛地应...
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