技术编号：14304281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例是关于使用二维材料的场效晶体管以及其制作方法，更具体是关于使用过渡金属二硫族化物(transition metal dichalcogenide,TMD)，特别是关于二硫化钼(MoS2)的场效晶体管与其制作方法。背景技术石墨烯作为二维材料(或二维拓扑材料)，已经成为在sub-10nm技术节点中应用于晶体管的可能材料。二维材料也就是由单层原子形成的单层材料。单层二维材料具有与组成原子的直径相同的厚度，或具有通常为零点几纳米到几纳米的厚度。由于它零能隙的特性，石墨烯晶体管的低开关比(ON...
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