技术编号:14327266
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法以及浮栅型闪存结构。背景技术存储器大致可以分为两大类:易失(volatile)存储器和非易失(non-volatile)存储器。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的信息:它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的随机存储器(RAM)都属于此类。非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息,其中,浮栅型闪存就是一种非易失存储器。目前在制作浮栅型闪存时,除了在存储区域形成多个存储单元(cell)之外,通常还会存储区域周围设置外围...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。