技术编号:1433166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,包括在等离子条件下对等离子腔体进行预清洗工艺步骤S1和对等离子腔体沉积环境保护薄膜工艺步骤S2;步骤S2具体包括将含有C2H2、Ar和He的气体通入等离子腔体中,在等离子腔体壁上沉积一层具有第一厚度的无掺氮非晶碳薄膜,以及将含有C2H2和N2的气体通入等离子腔体中,在无掺氮非晶碳薄膜上再生长一层具有第二厚度的掺氮非晶碳薄膜;其中,第二厚度小于第一厚度。因此,本发明避免了晶圆背面铝玷污,以及引起晶圆位置容易偏移的问题。专利说明[0001]本发明涉...
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