技术编号:14349242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发明构思的示例实施方式涉及半导体器件及制造其的方法,更具体地, 涉及包括三维布置的存储单元的三维(3D)半导体器件及制造其的方法。背景技术半导体器件已经被高度集成以提供优良的性能和低制造成本。半导体器 件的集成密度直接影响半导体器件的成本,从而导致对高度集成的半导体器 件的需求。常规的二维(2D)或平面半导体器件的集成密度可以主要由单位 存储单元在其中占用的区域决定。因此,常规的2D半导体器件的集成密度 会极大地受形成精细图案的技术影响。然而,因为需要极高价格的设备来形 成精细图案,所以2D半导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。