技术编号:14349361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外探测器,进一步来说,涉及短波红外铟镓砷探测器,尤其涉及改善延伸波长铟镓砷探测器刻蚀损伤的方法。技术背景众所周知,红外探测器(Infrared Detector)是将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。铟镓砷由于在进室温下具有低暗电流、高探测率、良好的抗辐照等特性,铟镓砷红外探测器显示出巨大的应用价值,广泛应用于航空航天和军事等领域。在延伸波长铟镓砷短波红外探测器芯片的制备中,台面成型工艺是最为关键的工艺之一。因为台面成型工艺对芯片材料带来较大的晶格损伤,造成芯片性能的恶化。所...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。