技术编号：14349363
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种新型的探测器芯片，具体是指一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，它能够实现包括紫外光、可见光和近红外光在内的宽波段范围探测。背景技术铟镓砷探测器芯片的传统结构为InP/InGaAs/InP结构，其在近红外波段内拥有良好的性能，这使得其在民用、军事和航空航天领域有着广泛的应用价值。InGaAs材料的吸收截至波长位于近红外波段，这意味着InGaAs材料的吸收谱能够覆盖波长小于近红外的可见光甚至紫外光，但是由于InP衬底和InP帽层的吸收作用，抑制了InP/InGaAs/InP...
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