技术编号:14356950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2015年9月21日提交的美国申请No.14\/859,525的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。技术领域本公开总体上涉及半导体器件领域,并且具体地涉及三维存储器结构(例如垂直NAND串和其他三维器件)及其制造方法。背景技术在T.Endoh等人的题为“Novel Ultra High Density Memory With A Stacked ed-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cell”,IEDM Proc.(200...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。