技术编号:14356952
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0037214号的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明涉及半导体器件,并且更具体地,涉及如下半导体器件:其具有适用于具有多层结构半导体芯片的封装件的稳定结构,具有优异的机械特性(例如耐热性和耐冲击性),并且即使在长时间暴露于在半导体制造工艺中施加的高温条件时,也能够防止回流裂纹等的出现而基本上不产生空隙。背景技术最近,随着电子设备朝小型化、高功能化和大容量的趋势扩大,并且对半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。