技术编号:14363748
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露涉及制造具有背侧冷却的半导体装置的方法。本揭露尤其可应用于65纳米(nm)及以上等级技术节点的半导体装置。背景技术在单一集成电路上整合数百万个电路组件(如晶体管)有必要进一步缩减或微缩化包含互连结构在内的电路组件的实体尺寸。微缩化已加剧提升晶体管工程的复杂度而产生许多问题。其中一项问题在于难以对集成电路散热。难处在于电路组件实体尺寸微缩化致使在更小面积里产生更多热量。此热量会在集成电路的衬底中积累而例如使衬底退化。因此,需要能够制造具有改进式冷却效率的半导体装置的方法及所产生的结构。发明内...
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